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型号 SI2306BDS-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI2306BDS-T1-GE3 PDF
代理商 SI2306BDS-T1-GE3
产品目录绘图 SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323
标准包装 1
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 47 毫欧 @ 3.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 4.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 305pF @ 15V
功率 - 最大 750mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3（TO-236）
包装 标准包装
产品目录页面 1661 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI2306BDS-T1-GE3DKR
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